北京*信息科學(xué)技術(shù)*考研真題 一、名詞解釋 受主、雪崩擊穿、異質(zhì)結(jié)、費(fèi)米釘扎（還有兩個(gè)記不清了，歷年真題中可以找到） 二、半導(dǎo)體A、B的電導(dǎo)率-溫度曲線如下 1.說明A、B半導(dǎo)體的類型，并說明原因 2.A、B分別產(chǎn)生如下曲線的機(jī)制是什么 三、題干給出了兩種材料（n型Eg較窄，p型Eg較寬）的能帶圖，畫出這兩種材料形成異質(zhì)結(jié)后在如下情形的能帶圖 1.無外加偏壓 2.施加反向偏壓Va 四、p-mos管（n型襯底）中，Wm SiO2層中存在以密度為常數(shù)ρ的電荷分布 1.寫出平帶電壓表達(dá)式 2.畫出平帶時(shí)的能帶圖 五、PN結(jié)P型區(qū)及N型區(qū)均均勻摻雜，濃度為Na，Nd 1.算出施加正向偏壓Va時(shí)p區(qū)邊界少子濃度 2.畫出正偏時(shí)I-V曲線 3. Na，Nd很小時(shí)，I-V曲線與理想曲線有什么區(qū)別 六、同時(shí)在Si中摻入Na，Nd，Na>Nd 1.寫出電荷守恒表達(dá)式 2.寫出低溫區(qū)Ef與T的關(guān)系 3.示意在能帶圖中畫出Ef隨T的變化曲線 經(jīng)驗(yàn)指導(dǎo) 1、零基礎(chǔ)復(fù)習(xí)階段（6月前) 本階段根據(jù)考研科目，選擇適當(dāng)?shù)膮⒖冀滩?，有目的地把教材過一遍，全面熟悉教材，適當(dāng)擴(kuò)展知識(shí)面，熟悉專業(yè)課各科的經(jīng)典教材。這個(gè)期間非常痛苦，要盡量避免鉆牛角尖，遇到實(shí)在不容易理解的內(nèi)容，先跳過去，要把握全局。系統(tǒng)掌握本專業(yè)理論知識(shí)。對(duì)各門課程有個(gè)系統(tǒng)性的了解，弄清每本書的章節(jié)分布情況，內(nèi)在邏輯結(jié)構(gòu)，重點(diǎn)章節(jié)所在等，但不要求記住，最終基本達(dá)到清華本科水平。 2、基礎(chǔ)復(fù)習(xí)階段（6－8月) 本階段要求考生熟讀教材，攻克重難點(diǎn)，全面掌握每本教材的知識(shí)點(diǎn)，結(jié)合真題找出重點(diǎn)內(nèi)容進(jìn)行總結(jié)，并有相配套的專業(yè)課知識(shí)點(diǎn)筆記,進(jìn)行深入復(fù)習(xí)，加強(qiáng)知識(shí)點(diǎn)的前后聯(lián)系，建立整體框架結(jié)構(gòu)，分清重難點(diǎn)，對(duì)重難點(diǎn)基本掌握。同時(shí)多練習(xí)相關(guān)參考書目課后習(xí)題、習(xí)題冊(cè)，提高自己快速解答能力，熟悉歷年真題，弄清考試形式、題型設(shè)置和難易程度等內(nèi)容。要求吃透參考書內(nèi)容，做到準(zhǔn)確定位，事無巨細(xì)地對(duì)涉及到的各類知識(shí)點(diǎn)進(jìn)行地毯式的復(fù)習(xí)，夯實(shí)基礎(chǔ)，訓(xùn)練思維，掌握一些基本概念和基本模型。
